教員・研究員紹介

藤井 茉美 (ふじい まみ)
准教授 博士(工学)
所属学科/電気電子通信工学科  所属専攻/エレクトロニクス系工学専攻

ダイヤモンド合成装置

専門 半導体工学,材料工学,デバイスプロセス,半導体計測
担当科目(学部) 基礎ゼミⅠ,基礎ゼミⅡ,電気物性概論,基礎物理学及び演習,電気電子材料,エンジニアリングデザイン実験,電気電子工学実験,エネルギー・環境実験,卒業研究ゼミナール,卒業研究
担当科目(大学院) 材料・デバイス演習,エレクトロニクス系特別研究,先進デバイス材料特論,先進デバイス材料特殊研究
主な研究テーマ 酸化物半導体薄膜トランジスタの信頼性解析
ダイヤモンド結晶成長プロセス
ダイヤモンドの特異機能分析
代表的な研究業績 (1)   Self-Heating Suppressed Structure of a-IGZO Thin-Film Transistor, IEEE Electron Device Letters, 39(9), p1322-1325 (2018)

(2)   Hot carrier effects in InGaZnO thin-film transistor, Applied Physics Express, 12, 094007-1-4 (2019)

(3)   Bias stress and humidity exposure of amorphous InGaZnO thin-film transistors with atomic layer deposited Al2O3 passivation using dimethylaluminum hydride at 200 °C, Journal of Physics D: Applied Physics, 53, 165103-1-10 (2020)
研究内容・研究成果
researchmap https://researchmap.jp/f-mami
所属学協会 応用物理学会,IEEE,The Electrochemical Society(ECS), Materials Research Society(MRS)
学外活動 応用物理学会 代議員・D&I委員, IEEE EDSK委員, AM-FPD Committee
出身大学 奈良先端科学技術大学院大学
出身大学院 奈良先端科学技術大学院大学
論文名、取得大学、取得年月 次世代ディスプレイ実現に向けた酸化物半導体薄膜トランジスタの高性能化技術,奈良先端科学技術大学院大学,2012年3月
主な経歴 パナソニック株式会社
奈良先端科学技術大学院大学特任助教,助教
受賞歴 2017年 応用物理学会 第8回(2017年度) 女性研究者研究業績(小舘香椎子賞)
2010年International Conference on Solid State Devices and Materials, Young Researcher Award
2008年 The Fifteenth International Workshop on Active- Matrix Flatpanel Displays and Devices, Best Student Award
2005年 電気関係学会関西支部連合大会 奨励賞
学生へのアドバイス 学識,一生の友人,失敗と成功体験を得て,自分が魅力的だと思う人間になるための種を一つでも多く作ってください.
学生に薦めたい書物 素直な心になるために(松下幸之助)
趣味・その他 車,ミュージカル鑑賞

先進デバイス材料工学研究室

教員室 31号館2階藤井准教授室
内線 4310
メールアドレス fujii(at)ele.kindai.ac.jp
  • 迷惑メールを避けるため(at)を使用しております。メールする場合は@に書き換えてください。
研究室URL https://sites.google.com/ele.kindai.ac.jp/fujii-lab

教員・研究員紹介

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