教員紹介

金島 岳
金島 岳
教授
所属 産業理工学部 電気電子工学科
産業理工学研究科
学位 博士(工学)
専門 半導体デバイス
ジャンル 科学・技術/新技術
コメント Ge半導体を用いたデバイスや新規メモリ、特にそのゲート絶縁膜/半導体界面の特性改善や絶縁
リサーチマップ https://researchmap.jp/read0046497

研究概要

学歴/経歴

学歴

  • 1993年4月 - 1996年3月
    大阪大学 大学院基礎工学研究科
  • 1991年4月 - 1993年3月
    大阪大学 大学院基礎工学研究科
  • 1987年4月 - 1991年3月
    大阪大学 基礎工学部

経歴

  • 2022年4月 - 現在
    近畿大学 産業理工学部 電気電子工学科 教授
  • 2007年7月 - 2022年3月
    大阪大学 大学院基礎工学研究科 准教授
  • 2007年4月 - 2007年6月
    大阪大学 大学院基礎工学研究科 助教
  • 1996年4月 - 2007年3月
    大阪大学 基礎工学部 助手

研究活動情報

研究分野

  • ものづくり技術(機械・電気電子・化学工学), 電気電子材料工学
  • ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性

研究キーワード

high-Kゲート, 放射光による電子材料の作製及びエッチング, Si/SiO界面の評価, Si酸化膜, high-K gate., Preparation and Etching of Electrical Materials by Synchro-Radiation, characterization of SiO<sub>2</sub> thin fims and Si/SiO<sub>2</sub> interface

論文

  1. Giant converse magnetoelectric effect in a multiferroic heterostructure with polycrystalline Co2FeSi
    Shumpei Fujii; Takamasa Usami; Yu Shiratsuchi; Adam M. Kerrigan; Amran Mahfudh Yatmeidhy; Shinya Yamada; Takeshi Kanashima; Ryoichi Nakatani; Vlado K. Lazarov; Tamio Oguchi; Yoshihiro Gohda; Kohei Hamaya
    NPG Asia Materials  14  (1)  2022年12月 
  2. Converse magnetoelectric effect in epitaxial Co2MnSi/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 multiferroic heterostructures
    Takamasa Usami; Shumpei Fujii; Shinya Yamada; Yu Shiratsuchi; Takeshi Kanashima; Ryoichi Nakatani; Kohei Hamaya
    IEEE Transactions on Magnetics  2022年 
  3. Inverse local magnetoresistance effect up to room temperature in ferromagnet-semiconductor lateral spin-valve devices
    Takahiro Naito; Michihiro Yamada; Shinya Yamada; Takeshi Kanashima; Kentarou Sawano; Kohei Hamaya
    Materials Science in Semiconductor Processing  113  2020年7月  [査読有り]

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書籍等出版物

  1. P(VDF-TeFE)/Organic Semiconductor Structure Ferroelectric-GateFETs , T. Kanashima; M. Okuyama , Springer , 2016年1月

MISC

  1. Ge基板表面処理における接触角とMIS電気特性 , 高山祐太郎; 森悠; 金島岳 , 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) , 67th , 2020年
  2. Ge基板のヨウ素溶液処理による表面エッチング , 森悠; 濱地威明; 阿保智; 酒井朗; 金島岳 , 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) , 81st , 2020年
  3. 金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜を用いた薄膜トランジスタ特性 , 東英実; 笠原健司; 山本圭介; 工藤康平; 山田晋也; 金島岳; 中島寛; 浜屋宏平 , 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) , 66th , 2019年

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産業財産権

  1. 強誘電体メモリ及びその製造方法

受賞

  1. 2006年, JJAP論文賞

共同研究・競争的資金等の研究課題

  1. 放射光による電子材料のエッチング
  2. 分子軌道法による半導体表面の評価
  3. High-k膜の成長とその評価

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