教員紹介

金島岳: 教授

所属	産業理工学部電気電子工学科産業理工学研究科
学位	博士（工学）
専門	半導体デバイス
ジャンル	科学・技術/新技術
コメント	Ge半導体を用いたデバイスや新規メモリ、特にそのゲート絶縁膜/半導体界面の特性改善や絶縁
リサーチマップ	https://researchmap.jp/read0046497

研究概要

学歴/経歴

学歴

1993年4月 - 1996年3月
大阪大学大学院基礎工学研究科
1991年4月 - 1993年3月
大阪大学大学院基礎工学研究科
1987年4月 - 1991年3月
大阪大学基礎工学部

経歴

2022年4月 - 現在
近畿大学産業理工学部電気電子工学科教授
2007年7月 - 2022年3月
大阪大学大学院基礎工学研究科准教授
2007年4月 - 2007年6月
大阪大学大学院基礎工学研究科助教
1996年4月 - 2007年3月
大阪大学基礎工学部助手

研究活動情報

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学）, 電気電子材料工学
ナノテク・材料, 薄膜、表面界面物性

研究キーワード

high-Kゲート, 放射光による電子材料の作製及びエッチング, Si/SiO界面の評価, Si酸化膜, high-K gate., Preparation and Etching of Electrical Materials by Synchro-Radiation, characterization of SiO<sub>2</sub> thin fims and Si/SiO<sub>2</sub> interface

論文

Metastable Co3Mn/Fe/Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3 multiferroic heterostructures
Y. Murakami; T. Usami; R. Watarai; Y. Shiratsuchi; T. Kanashima; R. Nakatani; Y. Gohda; K. Hamaya
Journal of Applied Physics 134 (22) 2023年12月8日
Converse magnetoelectric coupling coefficient greater than 10^{-6} s/m in perpendicularly magnetized Co/Pd multilayers on Pb(Mg_{1/3}Nb_{2/3})O_{3}-PbTiO_{3}
T. Usami; Y. Sanada; Y. Shiratsuchi; S. Yamada; T. Kanashima; R. Nakatani; K. Hamaya
Journal of Magnetism and Magnetic Materials 570 (15) 170532-170532 2023年3月 [査読有り]
Giant converse magnetoelectric effect in a multiferroic heterostructure with polycrystalline Co2FeSi
Shumpei Fujii; Takamasa Usami; Yu Shiratsuchi; Adam M. Kerrigan; Amran Mahfudh Yatmeidhy; Shinya Yamada; Takeshi Kanashima; Ryoichi Nakatani; Vlado K. Lazarov; Tamio Oguchi; Yoshihiro Gohda; Kohei Hamaya
NPG Asia Materials 14 (1) 2022年12月

P(VDF-TeFE)/Organic Semiconductor Structure Ferroelectric-GateFETs , T. Kanashima; M. Okuyama , Springer , 2016年1月

MISC

Ge基板表面処理における接触角とMIS電気特性 , 高山祐太郎; 森悠; 金島岳 , 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) , 67th , 2020年
Ge基板のヨウ素溶液処理による表面エッチング , 森悠; 濱地威明; 阿保智; 酒井朗; 金島岳 , 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) , 81st , 2020年
金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜を用いた薄膜トランジスタ特性 , 東英実; 笠原健司; 山本圭介; 工藤康平; 山田晋也; 金島岳; 中島寛; 浜屋宏平 , 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) , 66th , 2019年